Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Pontuação geral
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    34 left arrow 43
    Por volta de -26% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.3 left arrow 13.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.9 left arrow 9.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    43 left arrow 34
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.2 left arrow 14.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.3 left arrow 10.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2285 left arrow 2201
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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