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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

総合得点
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB 考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 43
    周辺 -26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.3 left arrow 10.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2285 left arrow 2201

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