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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1932
3711
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88A1BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
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