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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
51
En 43% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
5.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
51
Velocidad de lectura, GB/s
9.0
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.7
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
2248
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
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