Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Gesamtnote
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 51
    Rund um 43% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 5.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 51
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 9.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.7 left arrow 7.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1274 left arrow 2248
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche