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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
51
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
2248
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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