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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
12
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2347
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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