RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Note globale
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
12
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
40
Autour de -43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1806
2347
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link