RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
2347
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link