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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
40
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2361
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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