RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
40
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
2361
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link