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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
40
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
2361
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
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