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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
60
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
60
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2136
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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