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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
60
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
60
读取速度,GB/s
12.3
9.2
写入速度,GB/s
7.8
7.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2136
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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