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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
84
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.4
2.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
2.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
43
84
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
2.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
2.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
469
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
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