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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
2553
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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