RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
43
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
2553
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link