RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3357
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905625-004.A03LF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link