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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
43
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
2561
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
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