RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
43
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3125
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link