RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
43
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.7
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3125
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link