RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
43
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3297
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link