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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
43
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
19
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3724
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
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