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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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规格
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
43
左右 -126% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
19
读取速度,GB/s
11.4
20.7
写入速度,GB/s
7.7
16.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3724
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
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