RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Compara
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Puntuación global
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
31
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
5.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.6
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1751
3650
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link