Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Note globale
star star star star star
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Note globale
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    23 left arrow 31
    Autour de 26% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.9 left arrow 11.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    15.2 left arrow 5.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 10600
    Autour de 1.6 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    23 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.6 left arrow 16.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.6 left arrow 15.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1751 left arrow 3650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons