RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
25
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
21
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3350
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link