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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
25
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
21
读取速度,GB/s
16.1
19.1
写入速度,GB/s
10.1
15.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3350
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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