Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Puntuación global
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Puntuación global
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 32
    En 13% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.1 left arrow 12.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.9 left arrow 7.5
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.7 left arrow 14.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 13.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow no data
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1988 left arrow 2918
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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