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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
no data
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
, 1.20000005, CAS Supported:
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2918
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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