Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 32
    Intorno 13% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.1 left arrow 12.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.9 left arrow 7.5
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.7 left arrow 14.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.5 left arrow 13.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow no data
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1988 left arrow 2918
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