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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
7.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
no data
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
, 1.20000005, CAS Supported:
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2918
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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