Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Note globale
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Note globale
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 32
    Autour de 13% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.1 left arrow 12.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.9 left arrow 7.5
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 32
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.7 left arrow 14.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.5 left arrow 13.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    8500 left arrow no data
Other
  • Description
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow no data
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1988 left arrow 2918
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons