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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs AMD R748G2133U2S 8GB

Puntuación global
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Puntuación global
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AMD R748G2133U2S 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 15.9
    Valor medio en las pruebas
AMD R748G2133U2S 8GB Razones a tener en cuenta
AMD R748G2133U2S 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    23 left arrow 25
    En -9% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.4 left arrow 10.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 23
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 15.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 11.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2764 left arrow 2852

Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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