RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2563
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link