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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
69
En 64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
69
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
1794
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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