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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
69
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
69
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
1794
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
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