RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
69
Intorno 64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
69
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
1794
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link