RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
73
Rund um -161% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
12.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2834
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link