RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
77
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2756
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link