RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
77
Intorno -126% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
34
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2756
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link