RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
77
Autour de -126% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2756
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5469-035.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link