RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3023
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link