RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3023
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link