RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3325
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link