RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
25
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
20
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3473
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link