RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
25
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
20
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3473
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link