RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2608
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link