RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 34
    周辺 26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 13.1
    テスト平均値
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB 考慮すべき理由
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 13.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 2608

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
メモリRAM