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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
34
Intorno 26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
34
Velocità di lettura, GB/s
16.1
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2608
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
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