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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
69
Intorno -165% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
26
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2679
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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