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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2060
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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