RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2060
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link